台积电的7FFP工艺有约5个EUV掩模,而5FF会有约15个EUV掩模。如果觉得对你有帮助,可以多多点赞哦,也可以随手点个关注哦,谢谢。一直期待着高迁移率通道有一段时间了,它将在pFET的5nm处引入硅锗(SiGe)高迁移率通道(HMC)。另一方面14nm(纳米)和7nm(纳米)的芯片在设计方法和所用的技术上也是有区别的。对芯片设计者来说,14nm和7nm有什么区别?我是电子及工控技术,我来回答这个问题。我是从事电子技术硬件应用的从业者,对于这个问题我来谈谈我的看法。首先从电路硬件设计与应用来说,我们在设...
更新时间:2022-04-20标签: mosfetfinfet工艺技术解析功率功率mosfet应用与解析工艺技术有哪些finfet 全文阅读